物理氣相（xiàng）沉積介紹之真空卷（juàn）繞鍍（dù）膜技術：
        真空卷繞鍍膜(卷對卷（juàn）)是在真空下應用（yòng）不同方法在柔性基體上實現連續鍍膜的一種技術（shù）。它涵蓋真空（kōng）獲得、機（jī）電控製、高精傳動和表（biǎo）麵分析等多方（fāng）麵內容。其重點是（shì），在保證（zhèng）鍍膜質量前（qián）提下提高卷繞速（sù）率、控製鍍膜穩定性及實施在線監控。卷對卷技術成本低、易操作、與（yǔ）柔性基底相容、生產率（lǜ）高（gāo）及可連續（xù）鍍（dù）多層膜等優點。第一台真空蒸發（fā）卷繞鍍膜機1935年（nián）製成，現（xiàn）可（kě）鍍幅寬由（yóu）500至2500mm。卷對卷技術應用由（yóu）包裝和裝飾（shì）用（yòng）膜，近年逐漸擴大至激光防偽膜、導電等功能薄膜方麵，是未來柔性電子等（děng）行（háng）業的主流技術之一。
        真（zhēn）空卷繞鍍（dù）膜係統按結構可分為單室、雙室和多室真空卷繞係統，後（hòu）兩者可解決開卷放氣問題（tí）並分別（bié）控製卷繞和鍍膜室各自真空度。卷繞張（zhāng）力控製（zhì）分錐度、間接和直接控製模型，錐度控製模型可解決薄膜褶皺和（hé）徑向力分布不均的問（wèn）題；間接張力控製無需傳感器，可用內置張力控製模塊的矢量變（biàn）頻器代替；直接張力控製通過張（zhāng）力（lì）傳感器精確測量張力值，但需慣性矩和角速度等多（duō）種參數（shù）。真空卷繞鍍膜（mó）主要有真空蒸發、磁控濺射等方式，可用於製備（bèi）新型高（gāo）折射率薄膜、石墨烯等納（nà）米材料和（hé）柔性太陽能電池等半導體器件。針對真空卷繞鍍膜技術（shù）研究（jiū）現狀及向產（chǎn）業化過渡存（cún）在的（de）問題，最後作了簡要分析與展望。
        真空卷對卷設備由抽真空、卷繞、鍍（dù）膜和電（diàn）氣控製（zhì）等係統組成。真空卷繞鍍膜設（shè）備（bèi）根據真空室有無擋板，可分單室、雙室（shì）和（hé）多室結（jié）構。單室的收（shōu）放卷輥和鍍膜輥在同一室中，結構簡（jiǎn）單（dān）但開卷時放氣會汙染真空環境。雙室結構將係統用擋板隔成卷（juàn）繞和鍍膜（mó）室，卷輥與擋板間隙約1.5mm，避免了類似（sì）開卷放氣問題。多室常（cháng）用於製（zhì）備複合薄膜，在雙室基礎上將相鄰鍍膜區用擋板隔開避免幹（gàn）擾。如Krebs等將（jiāng）Skultuna FlexiblesAB的開普頓擋板固定於兩磁控（kòng）濺射靶間，板兩側塗覆50μm的銅層。分隔擋板與（yǔ）真空室壁狹（xiá）縫越小（xiǎo）越好。據鍍膜時輥筒作用分為單主輥和多主輥卷繞鍍膜機。據電機個（gè）數（shù），則可分為（wéi）兩電機、三電機和四電機驅動（dòng）係統。

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