偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加在基體上的負電壓（yā）。偏壓電源（yuán）的正極接到真空室上，同時真空室接（jiē）地（dì），偏（piān）壓的負極接到工件上。由於大地的電壓一般認為是零電位，所以工件上的電壓習慣說負偏（piān）壓，簡稱偏壓（yā）。

負偏壓的（de）作用
提供粒子（zǐ）能量；
對（duì）於（yú）基（jī）片的（de）加熱效應；
清除基片上（shàng）吸附（fù）的（de）氣體和油汙等，有（yǒu）利於提高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧（hú）離子鍍（Arc Ion Plating)中的大顆（kē）粒有淨化作用；

偏壓（yā）的分類
根據波形可分（fèn）為：
直流偏壓
直流脈（mò）衝偏（piān）壓（yā）
直流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏壓

直流偏壓和（hé）脈衝偏壓的比較

傳統的電弧離（lí）子鍍是在基片台（tái）上（shàng）施加直（zhí）流（liú）負偏壓控製離子轟擊能量, 這種沉積工藝存在以（yǐ）下缺（quē）點:
        基體溫升高, 不利（lì）於在回火溫（wēn）度低的（de）基（jī）體上沉積硬質膜。
        高能離子轟擊造成嚴重的濺射, 不（bú）能簡（jiǎn）單通過提高離子轟擊能量合成高反應（yīng）閾能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍（dù）工藝（yì）中,為了抑製因離子對（duì）基體表麵連續轟（hōng）擊而導致的基體溫度過（guò）高,主要采取減少（shǎo）沉積功率、縮短沉積時間、采用間歇（xiē）沉積方（fāng）式等措施來降低沉積溫度，這些措施可以概括（kuò）地稱為能量控製法'這種方（fāng）法雖然可以降低沉積溫度,但也使薄（báo）膜的某些性能下降,同（tóng）時（shí）還降低了生產效率和薄膜質（zhì）量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈（mò）衝偏壓（yā）電弧離子鍍工藝中（zhōng）,由於（yú）離子是以非（fēi）連續的脈衝方式轟擊基體表（biǎo）麵,所以通（tōng）過調節脈衝偏壓的占空比,可改（gǎi）變基體（tǐ）內部與表麵之間的（de）溫度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的均（jun1）衡補償效果,達到調控沉積溫度的目（mù）的。這樣就可以把施加偏壓的脈衝（chōng）高度與工件溫度獨立分開(互不影（yǐng）響或影響很（hěn）小)調節,利用高壓脈衝（chōng）來獲得高能離子的轟擊效應以改善薄膜的組織（zhī）和性能,通過降低（dī）占空比來（lái）減小離（lí）子轟擊的總加熱效應以降低沉積溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層（céng）的影響（xiǎng）機製是很複雜的，下麵列出了（le）一些主要影響，可以根據自己的使用（yòng）工藝，觀察總結，就可以（yǐ）很快（kuài）摸清偏壓對（duì）膜層的影響規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結構
        沉積速率
        大顆粒淨化
        膜層硬度
        膜層致（zhì）密度
        表麵形（xíng）貌
        內應力

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