磁控濺射技術自（zì）誕生以來，得到了較快的發展和較廣的應用，對其他鍍膜方法的發展（zhǎn）產生了很大的影響。通過大量的實（shí）踐，浦元真空總結出這種技術的（de）優缺點，如下（xià）文所示。

　　優點：
　　1.沉（chén）積速率高，襯底溫升低，對薄膜損（sǔn）傷小（xiǎo）；
　　2.對於大多數材料，隻要能製造（zào）出靶材，就可（kě）以（yǐ）實現濺射；
　　3.濺射得到的薄膜與基底結合良好；
　　4.濺射得到的薄膜純度較高，密度好，均勻性（xìng）好；
　　5.結果表明，濺射工藝具有良好的（de）重複性，在（zài）大麵積襯底上可獲得厚度均勻的薄膜；
　　6.可以準確控製塗層厚度，通（tōng）過改變參（cān）數來控製薄膜的粒徑；
　　7.不同的金（jīn）屬（shǔ）、合金和氧化物可以混合，同（tóng）時濺射（shè）在基體上；
　　8.易於工業化。


　　但（dàn）是磁控濺射也存在一些問題
　　1.該技術所使用的環形磁場迫（pò）使次級電子圍繞環形磁場跳躍。因此，由環形磁場控製的區域是等離子體密度較（jiào）高的區域。在（zài）該技術中，我們可以看（kàn）到濺射氣體氬在這一區（qū）域發出強烈的淡藍色光芒，形成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的部分，它會濺（jiàn）出一個圓形的溝槽。環形磁場是電子運動的軌道，環形輝光和溝槽生動地表現了這一點。靶材（cái）的濺射槽一旦穿（chuān）透靶材，整個靶材就會報廢，靶材利（lì）用率不高，一般低於40%；
　　2.等離子體不穩定；
　　3.由於基本的磁通量均不（bú）能通過（guò）磁性（xìng）靶，所以在靶麵附近不可能產生外加磁場。

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