電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大（dà）量的氬離子和電子,電子飛（fēi）向基（jī）片.氬離子在電場的作用（yòng）下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶（bǎ）材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成（chéng）膜.二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場（chǎng）洛侖磁力的影響,被束縛在（zài）*近靶麵的等離子體區（qū）域內（nèi）,該區（qū）域內等離子體密度很高,二次電子在磁（cí）場的作用下圍繞（rào）靶麵（miàn）作圓周運動,該電子的運（yùn）動路徑很長（zhǎng）,在運動過程中不斷的與（yǔ）氬原子發（fā）生碰撞電離出大量的（de）氬離子轟擊靶材（cái）,經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低,擺脫（tuō）磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上.

        磁控濺射就是以磁場束（shù）縛和延（yán）長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率（lǜ）和有效利用電子的能量.

       電子的歸（guī）宿不僅僅是基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸（guī）宿.但一般基（jī）片與真空室及陽極在同一電勢.磁場與電場（chǎng）的交互作用（E X B shift）使（shǐ）單（dān）個電子軌（guǐ）跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓（yuán）周運動.至於靶（bǎ）麵圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓（yuán）周形狀形狀.磁力線分布（bù）方向不（bú）同會對成膜有很大關係（xì）.

       在（zài）E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都（dōu）在次原（yuán）理下工作.所不同的是（shì）電場方（fāng）向,電壓電流（liú）大小而已.